每日观察!GaN 器件如何提高谐振转换器效率

随着硅接近其物理极限,电子制造商正在转向非传统的半导体材料,尤其是宽带隙(WBG)半导体,例如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等。因为宽带隙材料具

ROHM的600V耐压超级结MOSFET 新增“R60xxVNx系列”的7款机型